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STP18N60DM2  与  FCP11N60F  区别

型号 STP18N60DM2 FCP11N60F
唯样编号 A3-STP18N60DM2 A-FCP11N60F
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 N-Channel 600 V 0.38 Ohm Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ@5.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 125W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
连续漏极电流Id - 11A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1490pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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