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STP140NF75  与  IRFB3207ZPBF  区别

型号 STP140NF75 IRFB3207ZPBF
唯样编号 A3-STP140NF75 A36-IRFB3207ZPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220 N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@70A,10V 4.1mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 310W(Tc) 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 170A
系列 STripFET™ III HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V 6920pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 218nC @ 10V 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6920pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC
库存与单价
库存 3,000 315
工厂交货期 5 - 7天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
9+ :  ¥5.797
100+ :  ¥4.631
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥5.797 

阶梯数 价格
9: ¥5.797
100: ¥4.631
315 对比

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