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STP110N8F6  与  IRFB4310Z  区别

型号 STP110N8F6 IRFB4310Z
唯样编号 A3-STP110N8F6 A-IRFB4310Z
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@55A,10V 6mΩ
漏源极电压Vds 80V 100V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 35.0nC
封装/外壳 TO-220 TO-220
Mounting - THT
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 110A 127A
系列 STripFET™ F6 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
Ptot max - 250.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9130pF @ 40V -
QG - 120.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Tj max - 175.0°C
Budgetary Price €€/1k - 1.11
RthJC max - 0.6K/W
库存与单价
库存 173,300 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 173,300 当前型号
IRFB4310Z Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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