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STL8DN6LF3  与  IPG20N06S4L-26A  区别

型号 STL8DN6LF3 IPG20N06S4L-26A
唯样编号 A3-STL8DN6LF3 A-IPG20N06S4L-26A
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26mΩ
上升时间 - 1.5ns
漏源极电压Vds - 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 33W
Qg-栅极电荷 - 15nC
栅极电压Vgs - 10V
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 - 2N-Channel
封装/外壳 PowerFLAT -
连续漏极电流Id - 20A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
系列 - OptiMOS-T2
长度 - 5.9mm
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 5ns
高度 - 1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL8DN6LF3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

PowerFLAT

暂无价格 0 当前型号
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S4L-26A_2 N-通道(双) 8-PowerVDFN -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IPG20N06S4L-26A Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPG20N06S4L26AATMA1_60V 20A 26mΩ 10V 33W 2N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

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