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STGF19NC60KD  与  IRG4IBC30WPBF  区别

型号 STGF19NC60KD IRG4IBC30WPBF
唯样编号 A3-STGF19NC60KD A-IRG4IBC30WPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET IGBT晶体管
描述 IRG4IBC30WPbF Series 600 V 17 A Flange Mount N-Channel IGBT - TO-220 Full-Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
25°C时Td(开/关)值 - 25ns/99ns
电流-集电极(Ic)(最大值) - 17A
功率 - 45W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 75A 92A
反向恢复时间(trr) 31ns -
Pd-功率耗散(Max) 32W -
输入类型 标准 标准
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 92A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 16A 17A
封装/外壳 TO-220FP TO-220AB 整包
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.75V @ 15V,12A 2.7V @ 15V,12A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 165µJ(开),255µJ(关) 130µJ(开),130µJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.7V @ 15V,12A
测试条件 480V,12A,10 欧姆,15V 480V,12A,23 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 30ns/105ns 25ns/99ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGF19NC60KD STMicro  数据手册 功率MOSFET

32W -55°C~150°C(TJ) TO-220FP

暂无价格 0 当前型号
IRG4IBC30WPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 45W TO-220AB 整包

暂无价格 0 对比
IRGIB15B60KD1P Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 175°C(TJ) 52W 10.63*4.83*16.12mm

暂无价格 0 对比
IRGIB15B60KD1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

TO-220-3 FP

暂无价格 0 对比

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