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STGB19NC60KDT4  与  IRG4BC30S-STRLP  区别

型号 STGB19NC60KDT4 IRG4BC30S-STRLP
唯样编号 A3-STGB19NC60KDT4 A-IRG4BC30S-STRLP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT 600V 35A 125W D2PAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 100W
宽度 - 9.65mm(Max)
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 68A
输入类型 - 标准
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 34A
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 1.6V @ 15V,18A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 - 260µJ(开),3.45mJ(关)
在25 C的连续集电极电流 - 34A
长度 - 10.67mm(Max)
测试条件 - 480V,18A,23 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 22ns/540ns
高度 - 4.83mm(Max)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGB19NC60KDT4 STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRG4BC30KD-SPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C ~ 150°C(TJ) 100W D2PAK

暂无价格 0 对比
IRG4BC30S-STRLP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

100W -55°C ~ 150°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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