首页 > 商品目录 > > > > STF10NM60N代替型号比较

STF10NM60N  与  IPA80R450P7  区别

型号 STF10NM60N IPA80R450P7
唯样编号 A3-STF10NM60N A-IPA80R450P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 550mΩ@4A,10V 450mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) 29W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 770pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 24nC @ 10V
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220-3 PG-TO220-3
连续漏极电流Id 10A(Tc) 11A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - CoolMOS™
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.5V @ 220µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V -
库存与单价
库存 128,000 500
工厂交货期 5 - 7天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF10NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 128,000 当前型号
IPA80R450P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R450P7XKSA1_PG-TO220-3

暂无价格 500 对比
AOTF12N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比
IPA60R600C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R600C6_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比
IPAW60R600CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAW60R600CEXKSA1_TO-220FullPAK

暂无价格 0 对比
SPA07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3XKSA1_10.65mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售