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STD7NM60N  与  IPD70R900P7S  区别

型号 STD7NM60N IPD70R900P7S
唯样编号 A3-STD7NM60N A-IPD70R900P7S
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@2.5A,10V 900mΩ
漏源极电压Vds 600V 700V
Moisture Level - 3
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
Rth - 4.1K/W
栅极电压Vgs ±25V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.6nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 DPAK DPAK (TO-252)
Mounting - SMT
工作温度 150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id 5A 6A
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
Ptot max - 30.5W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 363pF @ 50V -
QG - 6.8nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.25
RthJC max - 4.1K/W
库存与单价
库存 10,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A

暂无价格 10,000 当前型号
IPD70R900P7S Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R900P7SAUMA1_900mΩ 700V 6A DPAK (TO-252) N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3 600V 4.4A 860mΩ 20V 37W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD70R900P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R900P7S_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD04N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 50W(Tc) 950mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3

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