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STD40NF03LT4  与  IRLR8103VTRPBF  区别

型号 STD40NF03LT4 IRLR8103VTRPBF
唯样编号 A3-STD40NF03LT4 A-IRLR8103VTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK Single N-Channel 30 V 115 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 115W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 91A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2672pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2672pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD40NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR3707ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 50W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 56A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR8729 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V DPAK (TO-252) 11.9mΩ N-Channel 20V 58A

暂无价格 0 对比
AOD4144_003 AOS  数据手册 功率MOSFET

13A(Ta),55A(Tc) N-Channel ±20V 8 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.3W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRLR8103VTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 115W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,10V N-Channel 30V 91A D-Pak

暂无价格 0 对比
TK45P03M1,RQ(S Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel DPAK 30 V 45A(Ta)

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