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STD2HNK60Z  与  IPD60R3K3C6ATMA1  区别

型号 STD2HNK60Z IPD60R3K3C6ATMA1
唯样编号 A3-STD2HNK60Z A-IPD60R3K3C6ATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3 MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 18.1W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8Ω@1A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 93pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 40uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.6nC @ 10V
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.3 欧姆 @ 500mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 22,500 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 22,500 当前型号
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R3K3C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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