首页 > 商品目录 > > > > STB55NF06T4代替型号比较

STB55NF06T4  与  IRL3705NSTRLPBF  区别

型号 STB55NF06T4 IRL3705NSTRLPBF
唯样编号 A3-STB55NF06T4 A-IRL3705NSTRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@46A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 89A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 5V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRL3705NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK

暂无价格 800 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
IRFZ44ESPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK7620-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7620-55A_SOT404 N-Channel 118W 175℃ 3V 55V 54A

¥11.411 

阶梯数 价格
170: ¥11.411
400: ¥8.5797
800: ¥7.0325
0 对比
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404 N-Channel 86W 175℃ 3V 60V 50A

¥5.2387 

阶梯数 价格
210: ¥5.2387
400: ¥4.4396
800: ¥4.073
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消