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STB36NF06LT4  与  IRFZ34NSTRRPBF  区别

型号 STB36NF06LT4 IRFZ34NSTRRPBF
唯样编号 A3-STB36NF06LT4 A-IRFZ34NSTRRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK 55V, 29A, 0.04OHM, D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),68W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 29A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB36NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 4,000 当前型号
PHB32N06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB32N06LT_SOT404

¥4.4296 

阶梯数 价格
210: ¥4.4296
400: ¥3.7539
800: ¥3.4439
0 对比
IRFZ34NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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