首页 > 商品目录 > > > > STB17N80K5代替型号比较

STB17N80K5  与  IPB60R380C6  区别

型号 STB17N80K5 IPB60R380C6
唯样编号 A3-STB17N80K5 A-IPB60R380C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 340mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Qg-栅极电荷 - 32nC
栅极电压Vgs - 30V
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id - 10.6A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 39,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB17N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 39,000 当前型号
SPB11N60C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB11N60C3_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
AOB11S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
IPB60R380C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R380C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
SPB11N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB11N60C3ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPB60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R380C6ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售