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STB13NM60N  与  IPB65R380C6  区别

型号 STB13NM60N IPB65R380C6
唯样编号 A3-STB13NM60N A-IPB65R380C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
上升时间 - 12ns
Qg-栅极电荷 - 39nC
Rth - 1.5K/W
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK (TO-263)
连续漏极电流Id - 10.6A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
Ptot max - 83.0W
长度 - 10mm
QG - 39.0nC
下降时间 - 11ns
高度 - 4.4mm
Budgetary Price €€/1k - 0.69
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 110nS
FET类型 - N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC6
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB13NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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IPB60R380C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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