首页 > 商品目录 > > > > RSJ400N10TL代替型号比较

RSJ400N10TL  与  IRFS59N10DTRLP  区别

型号 RSJ400N10TL IRFS59N10DTRLP
唯样编号 A3-RSJ400N10TL A-IRFS59N10DTRLP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.8 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@40A,10V 25mΩ@35.4A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.35W(Ta),50W(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 40A(Tc) 59A
工作温度 150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
栅极电荷Qg 90nC@10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ400N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 27mΩ@40A,10V 1.35W(Ta),50W(Tc) TO-263-3 150℃(TJ) 100V

暂无价格 100 当前型号
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
RSJ400N10FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 100V 40A 27mΩ 20V 50W -55°C~150°C 车规

暂无价格 50 对比
NTB6413ANG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 42A(Tc) ±20V 28 毫欧 @ 42A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

¥1.5348 

阶梯数 价格
1: ¥1.5348
2: ¥1.4119
4: ¥1.299
30 对比
IRFS59N10DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK

暂无价格 0 对比
PHB47NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB47NQ10T_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 3V 100V 47A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消