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RS6P100BHTB1  与  IRF7490  区别

型号 RS6P100BHTB1 IRF7490
唯样编号 A3-RS6P100BHTB1 A-IRF7490
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 39mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 100A 4.3A
工作温度 -55℃~150℃ -
QG - 37.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.37
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

暂无价格 100 当前型号
BSC035N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
BSC035N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
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26mΩ 100V SO-8 N-Channel 20V 5.7A

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39mΩ 100V SO-8 N-Channel 20V 4.3A

暂无价格 0 对比

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