首页 > 商品目录 > > > > RS6L120BGTB1代替型号比较

RS6L120BGTB1  与  BSC028N06NSSC  区别

型号 RS6L120BGTB1 BSC028N06NSSC
唯样编号 A3-RS6L120BGTB1 A-BSC028N06NSSC
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) -
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
IRF7855 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSSC Infineon 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN-5

暂无价格 3,000 对比
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.025 

阶梯数 价格
20: ¥3.025
100: ¥2.321
750: ¥2.013
1,500: ¥1.903
1,784 对比
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8Single

暂无价格 10 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售