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RS6G100BGTB1  与  IRF7469  区别

型号 RS6G100BGTB1 IRF7469
唯样编号 A3-RS6G100BGTB1 A-IRF7469
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 17mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO8
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 9A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 160 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 160 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 17mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V SO-8 5.9mΩ N-Channel 20V 14A

暂无价格 0 对比
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

¥3.443 

阶梯数 价格
20: ¥3.443
100: ¥2.871
750: ¥2.662
1,500: ¥2.519
3,000: ¥2.42
23,608 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 40V

¥8.602 

阶梯数 价格
6: ¥8.602
100: ¥7.403
1,250: ¥7.062
2,500: ¥6.82
19,060 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V

¥3.707 

阶梯数 价格
20: ¥3.707
100: ¥3.08
750: ¥2.86
1,500: ¥2.717
3,000: ¥2.607
8,990 对比

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