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RQ6P015SPTR  与  RSQ015P10TR  区别

型号 RQ6P015SPTR RSQ015P10TR
唯样编号 A3-RQ6P015SPTR A-RSQ015P10TR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 600mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 470mΩ@1.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 600mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 950pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 1.5A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 470 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 322nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 17nC @ 5V
库存与单价
库存 520 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6P015SPTR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 100V 1.5A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 470mΩ@1.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 520 当前型号
RSQ015P10TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比

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