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RQ3E150BNTB  与  IRFH8324TR2PBF  区别

型号 RQ3E150BNTB IRFH8324TR2PBF
唯样编号 A3-RQ3E150BNTB A-IRFH8324TR2PBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3.6W(Ta),54W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@15A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2380pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 15A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.1 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23A(Ta),90A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 15A(Ta) ±20V 2W(Ta) 5.3mΩ@15A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 100 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.2969 

阶梯数 价格
40: ¥1.2969
100: ¥0.9999
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.6921
9,205 对比
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
100: ¥0.9493
1,250: ¥0.792
2,500: ¥0.7194
4,717 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
818 对比
IRFH8324TR2PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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