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R6035VNXC7G  与  IPAN60R125PFD7S  区别

型号 R6035VNXC7G IPAN60R125PFD7S
唯样编号 A3-R6035VNXC7G A-IPAN60R125PFD7S
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 17A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220FM -
连续漏极电流Id 17A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.095Ω@15V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 81W -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6035VNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220FM N-Channel ±30V 600V 17A 0.095Ω@15V 81W

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