首页 > 商品目录 > > > > R6030KNX代替型号比较

R6030KNX  与  IPA60R125C6  区别

型号 R6030KNX IPA60R125C6
唯样编号 A3-R6030KNX A-IPA60R125C6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 130mΩ@14.5A,10V 110mΩ
上升时间 - 12 ns
96 nC - Qg - 闸极充电
公司名称 - CoolMOS
Qg-栅极电荷 - 96nC
标准包装数量 - 500
栅极电压Vgs ±20V 20V
34 W - Pd - 功率消耗
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 30A(Tc) 30A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
标准断开延迟时间 - 83 ns
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2350pF @ 25V -
高度 - 16.15mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 86W(Tc) 34W
典型关闭延迟时间 - 83ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - IPA60R125
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 当前型号
STF33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥8.47 

阶梯数 价格
6: ¥8.47
100: ¥7.183
745 对比
STF33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 对比
STF33N60M6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 对比
TK28A65W,S5X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220SIS

暂无价格 0 对比
IPA60R125C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R125C6XKSA1_10.65mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售