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R6030JNZ4C13  与  R6030MNZ1C9  区别

型号 R6030JNZ4C13 R6030MNZ1C9
唯样编号 A3-R6030JNZ4C13 A-R6030MNZ1C9
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 370W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 100V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-247G -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 7V @ 5.5mA -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 143 毫欧 @ 15A,15V -
Vgs(最大值) ±30V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 15V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 74nC @ 15V -
库存与单价
库存 70 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

暂无价格 70 当前型号
R6030MNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

¥28.4981 

阶梯数 价格
6: ¥28.4981
10: ¥27.7219
30 对比
R6030MNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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