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R6030ENZC17  与  R6030ENZC8  区别

型号 R6030ENZC17 R6030ENZC8
唯样编号 A3-R6030ENZC17 A33-R6030ENZC8
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 120W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 130mΩ@14.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2100pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-3PF TO-3P-3
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 14.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2100pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 85nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
库存与单价
库存 30 14
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥19.2128
10+ :  ¥18.6857
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030ENZC17 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-3PF

暂无价格 30 当前型号
R6030ENZC8 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3

暂无价格 60 对比
R6030ENZC8 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-3P-3

¥19.2128 

阶梯数 价格
8: ¥19.2128
10: ¥18.6857
14 对比

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