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R6009RND3TL1  与  FCD620N60ZF  区别

型号 R6009RND3TL1 FCD620N60ZF
唯样编号 A3-R6009RND3TL1 A-FCD620N60ZF
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 600V 9A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode 600v, 7.3a, 620mohm, n-ch, dpak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 620m Ohms@3.6A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 89W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252 TO-252AA
连续漏极电流Id - 7.3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - HiPerFET™,Polar™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1135pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA

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