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NTR4502PT1G  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 NTR4502PT1G IRLML5103TRPBF
唯样编号 A3-NTR4502PT1G A33-IRLML5103TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@-1.95A,-10V 600mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 400mW(Tj) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -1.13A 0.76A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 18,000 6,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥2.3286
100+ :  ¥1.7345
500+ :  ¥1.3416
1,000+ :  ¥1.2649
2,000+ :  ¥1.2074
4,000+ :  ¥1.1595
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥1.2937 

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120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
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¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
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¥2.3286 

阶梯数 价格
70: ¥2.3286
100: ¥1.7345
500: ¥1.3416
1,000: ¥1.2649
2,000: ¥1.2074
4,000: ¥1.1595
6,000 对比

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