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NTMD4N03R2G  与  IRF7311PBF  区别

型号 NTMD4N03R2G IRF7311PBF
唯样编号 A3-NTMD4N03R2G A-IRF7311PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Dual N-Channel 20 V 2 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.6A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 29mΩ@6A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 4.5V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 37,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTMD4N03R2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 37,500 当前型号
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8712
1,500: ¥0.7579
2,520 对比
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7311PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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AUIRF7303Q Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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