首页 > 商品目录 > > > > MMBFJ202代替型号比较

MMBFJ202  与  2SK209-GR(TE85L,F)  区别

型号 MMBFJ202 2SK209-GR(TE85L,F)
唯样编号 A3-MMBFJ202 A-2SK209-GR(TE85L,F)
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用MOSFET
描述 MMBFJ202 Series 40 V 4.5 mA N-Channel General Purpose Amplifier - SOT-23 TRANS SJT N-CH 10MA SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 7/20W -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
电压-击穿(V(BR)GSS) 40V -
Pd-功率耗散(Max) - 150mW(Ta)
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 13 pF @ 10 V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SC-59
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 125°C(TA)
连续漏极电流Id - 10mA(Ta)
不同Id时的电压-截止(VGS关) 800mV @ 10nA -
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 800mV @ 10nA -
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V -
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) 900µA @ 20V -
Power-Max 350mW -
晶体管类型 N-Channel -
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 900µA @ 20V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBFJ202 ON Semiconductor 通用三极管

N-Channel SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 150mW(Ta) SC-59 -55°C ~ 125°C(TA) 10mA(Ta)

¥0.8107 

阶梯数 价格
70: ¥0.8107
200: ¥0.5599
3,146 对比
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 150mW(Ta) SC-59 -55°C ~ 125°C(TA) 10mA(Ta)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消