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IRLML6302TRPBF  与  IRLML6302TRPBF  区别

型号 IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF
唯样编号 A3-IRLML6302TRPBF A33-IRLML6302TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@610mA,4.5V 600mΩ@610mA,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 540mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.78A 0.78A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 97pF @ 15V 97pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.45V 3.6nC @ 4.45V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 97pF @ 15V 97pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.6nC @ 4.45V 3.6nC @ 4.45V
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥0.8652
500+ :  ¥0.8552
1,000+ :  ¥0.8353
2,000+ :  ¥0.8254
4,000+ :  ¥0.8254
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT23

¥0.4147 

阶梯数 价格
130: ¥0.4147
200: ¥0.2678
3,000: ¥0.237
51,252 对比
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.8063 

阶梯数 价格
70: ¥0.8063
200: ¥0.5566
22,620 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV65XP_SOT23

¥0.6677 

阶梯数 价格
10: ¥0.6677
100: ¥0.4946
1,000: ¥0.3834
1,500: ¥0.3143
3,000: ¥0.2781
15,390 对比
IRLML6302TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.8652 

阶梯数 价格
180: ¥0.8652
500: ¥0.8552
1,000: ¥0.8353
2,000: ¥0.8254
4,000: ¥0.8254
6,000 对比
AO3423 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6204 

阶梯数 价格
90: ¥0.6204
200: ¥0.4732
1,500: ¥0.4108
3,000: ¥0.364
3,893 对比

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