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IRFR5305TRPBF  与  IRFR5305TRPBF  区别

型号 IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF
唯样编号 A3-IRFR5305TRPBF-2 A33-IRFR5305TRPBF
制造商 XBLW Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-252-2L DPAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 2,500 1,784
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥7.6564
50+ :  ¥5.8836
100+ :  ¥5.2991
500+ :  ¥4.8967
1,000+ :  ¥4.82
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5305TRPBF XBLW  数据手册 功率MOSFET

TO-252-2L

暂无价格 2,500 当前型号
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.871 

阶梯数 价格
20: ¥2.871
100: ¥2.211
1,000: ¥1.925
2,000: ¥1.815
5,970 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 4,000 对比
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20: ¥7.6564
50: ¥5.8836
100: ¥5.2991
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.82
1,784 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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