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IRFR024NT  与  IRFR024NTRPBF  区别

型号 IRFR024NT IRFR024NTRPBF
唯样编号 A3-IRFR024NT-1 A-IRFR024NTRPBF
制造商 XBLW Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 75mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 45W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-2L D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 17A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 370pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 2,500 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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