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IRF7380TRPBF  与  AO4830  区别

型号 IRF7380TRPBF AO4830
唯样编号 A3-IRF7380TRPBF A-AO4830
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 80 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.9mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 73mΩ 75 mΩ @ 3.5A,10V
上升时间 10ns -
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 4.3S -
封装/外壳 SOIC 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A 3.5A
配置 Dual -
长度 4.9mm -
下降时间 17ns -
高度 1.75mm -
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
典型关闭延迟时间 41ns -
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 2Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 13nC @ 10V
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7380TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC 4.9mm

暂无价格 0 当前型号
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.309 

阶梯数 价格
40: ¥1.309
100: ¥1.0043
1,250: ¥0.8503
2,500: ¥0.7205
70,406 对比
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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