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FDP51N25  与  STP50NF25  区别

型号 FDP51N25 STP50NF25
唯样编号 A3-FDP51N25 A-STP50NF25
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 320W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 25.5A,10V -
漏源极电压Vds 250V -
Pd-功率耗散(Max) 320W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
连续漏极电流Id 51A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
系列 UniFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3410pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3410pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP51N25 ON Semiconductor 功率MOSFET

51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

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