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FDN537N  与  DMN3033LSN-7  区别

型号 FDN537N DMN3033LSN-7
唯样编号 A3-FDN537N A36-DMN3033LSN-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.5W(Ta) -
宽度 - 1.6 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 23 毫欧 @ 6.5A,10V 30mΩ@6A,10V
上升时间 - 7 ns
栅极电压Vgs ±20V ±20V
封装/外壳 SOT-23-3 SC-59
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A(Ta),6.5A(Tc) 6A
配置 - Single
长度 - 3 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 465pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
高度 - 1.1 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W(Ta)
典型关闭延迟时间 - 63 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - DMN
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.5nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 10V -
库存与单价
库存 3,000 6,457
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7876
200+ :  ¥0.6422
1,500+ :  ¥0.585
3,000+ :  ¥0.546
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN537N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3

暂无价格 3,000 当前型号
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

¥0.7876 

阶梯数 价格
70: ¥0.7876
200: ¥0.6422
1,500: ¥0.585
3,000: ¥0.546
6,457 对比
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

暂无价格 0 对比
DMN3033LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3mm SC-59

暂无价格 0 对比

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