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FDMS86500L  与  BSC028N06NS  区别

型号 FDMS86500L BSC028N06NS
唯样编号 A3-FDMS86500L A-BSC028N06NS
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),104W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5 毫欧 @ 25A,10V 2.8mΩ
上升时间 - 38ns
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 50S
封装/外壳 Power -
连续漏极电流Id 25A 100A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12530pF @ 30V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),104W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® OptiMOS™
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 30V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 12530pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 11ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 165nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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