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FDD8647L  与  IRFR3504ZTRPBF  区别

型号 FDD8647L IRFR3504ZTRPBF
唯样编号 A3-FDD8647L A-IRFR3504ZTRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 13 mOhm PowerTrench® Mosfet - TO-252-3 Single N-Channel 40 V 90 W 30 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.1W(Ta),43W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 13A,10V 9mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),43W(Tc) 90W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
连续漏极电流Id 14A 77A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 20V 1510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V 45nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 20V 1510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V 45nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD8647L ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IRFR3504ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK+

暂无价格 0 对比
BUK7208-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7208-40B_SOT428

¥8.0505 

阶梯数 价格
490: ¥8.0505
1,000: ¥6.2407
1,250: ¥5.1153
2,500: ¥4.6929
0 对比
DMN4015LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
BUK9209-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9209-40B_SOT428

¥15.7021 

阶梯数 价格
400: ¥15.7021
1,000: ¥10.829
1,250: ¥9.1771
2,500: ¥7.5222
0 对比

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