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FDD3860  与  IRFR3410TRPBF  区别

型号 FDD3860 IRFR3410TRPBF
唯样编号 A3-FDD3860 A36-IRFR3410TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 36 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK-3 N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 36m Ohms@5.9A,10V 39mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),69W(Tc) 3W(Ta),110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252AA D-Pak
连续漏极电流Id 6.2A 31A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1740pF @ 50V 1690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V 56nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 67,500 11,640
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.311
100+ :  ¥2.552
1,000+ :  ¥2.211
2,000+ :  ¥2.09
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD3860 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK TO-252AA

暂无价格 67,500 当前型号
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,000: ¥2.211
2,000: ¥2.09
11,640 对比
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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BUK7240-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7240-100A_SOT428

¥7.9179 

阶梯数 价格
490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比
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¥7.9179 

阶梯数 价格
490: ¥7.9179
1,000: ¥6.1379
1,250: ¥5.0311
2,500: ¥4.6157
0 对比

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