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DMTH6004SPSQ-13  与  BSC028N06NS  区别

型号 DMTH6004SPSQ-13 BSC028N06NS
唯样编号 A3-DMTH6004SPSQ-13 A-BSC028N06NS
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ
上升时间 - 38ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs - 10V
正向跨导 - 最小值 - 50S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 11ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥4.0892
12,500+ :  ¥3.7863
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8

¥4.0892 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.0892
12,500: ¥3.7863
0 当前型号
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