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DMT6016LSS-13  与  DMT6017LSS-13  区别

型号 DMT6016LSS-13 DMT6017LSS-13
唯样编号 A3-DMT6016LSS-13 A-DMT6017LSS-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ -
上升时间 5.2ns -
Qg-栅极电荷 17nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 864 pF @ 30 V
栅极电压Vgs 1V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 17 nC @ 10 V
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.2A 9.2A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 7ns -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W 1.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 18mΩ@10A,10V
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMT60 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 864pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
典型接通延迟时间 3.4ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SO

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