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DMP6110SSD-13  与  IRF7342PBF  区别

型号 DMP6110SSD-13 IRF7342PBF
唯样编号 A3-DMP6110SSD-13 A-IRF7342PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 55 V 2.0 W 26 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@4.5A,10V 105mΩ@3.4A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W 2W
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOP-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.3A 3.4A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 969pF @ 30V 690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V 38nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8

暂无价格 0 当前型号
IRF7342PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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