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DMP4015SSSQ-13  与  FDS4141  区别

型号 DMP4015SSSQ-13 FDS4141
唯样编号 A3-DMP4015SSSQ-13 A3-FDS4141
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO P-Channel 40 V 13 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13 毫欧 @ 10.5A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 1.45W(Ta) 5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11mΩ@9.8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4234 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.5 nC @ 5 V -
封装/外壳 8-SO SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.1A(Ta) 10.8A
系列 - PowerTrench®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2670pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2670pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥1.1547
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP4015SSSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.1547 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.1547
0 当前型号
DMP4015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.871 

阶梯数 价格
20: ¥2.871
100: ¥2.211
1,250: ¥1.925
1,438 对比
RSH070P05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

¥13.0992 

阶梯数 价格
20: ¥13.0992
50: ¥8.0109
100: ¥7.3785
500: ¥6.9569
1,000: ¥6.8706
1,204 对比
RSH070P05TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 100 对比
FDS4141 ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC

暂无价格 0 对比
FDS4141 ON Semiconductor 功率MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC

暂无价格 0 对比

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