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DMP3160L-7  与  IRLML9303TRPBF  区别

型号 DMP3160L-7 IRLML9303TRPBF
唯样编号 A3-DMP3160L-7 A36-IRLML9303TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 Single N-Channel 30 V 1.25 W 2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 122mΩ 165mΩ@2.3A,10V
上升时间 7.3ns -
Qg-栅极电荷 8.2nC -
栅极电压Vgs 1.3V ±20V
正向跨导 - 最小值 5.9S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 2.3A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 13.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF
高度 1mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 1.25W(Ta)
典型关闭延迟时间 22.5ns -
FET类型 - P-Channel
系列 DMP31 HEXFET®
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 227pF @ 10V 160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 4.8ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2nC
库存与单价
库存 24,200 4,380
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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120: ¥1.2937
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4,000: ¥1.1595
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¥0.5889 

阶梯数 价格
90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
7,385 对比
IRLML9303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
4,380 对比
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
3,000: ¥0.9889
4,292 对比

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