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DMP3099L-7  与  DMP3099L-13  区别

型号 DMP3099L-7 DMP3099L-13
唯样编号 A3-DMP3099L-7 A36-DMP3099L-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3099L Series 30 V 65 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ -
上升时间 5ns -
Qg-栅极电荷 11nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 563 pF @ 25 V
栅极电压Vgs 1V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.2 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 3.8A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 15ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 1.08W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@3.8A,10V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP3099 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 4.8ns -
库存与单价
库存 0 7,031
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
120+ :  ¥0.442
500+ :  ¥0.403
2,500+ :  ¥0.3718
5,000+ :  ¥0.3484
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3099L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 65mΩ 30V 1V P-Channel

暂无价格 0 当前型号
DMP3099L-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 1.08W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥0.442 

阶梯数 价格
120: ¥0.442
500: ¥0.403
2,500: ¥0.3718
5,000: ¥0.3484
7,031 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 64mΩ@3.6A,10V P-Channel 30V 3.6A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
AO3407 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -4.1A 1.4W 52mΩ@10V

暂无价格 0 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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