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DMN6140L-7  与  BSS670S2LH6327XTSA1  区别

型号 DMN6140L-7 BSS670S2LH6327XTSA1
唯样编号 A3-DMN6140L-7 A-BSS670S2LH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 60 V 140 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@1.8A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 2.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.26nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.6nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 650 毫欧 @ 270mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 540mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6140L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMN6140L-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

¥0.4953 

阶梯数 价格
110: ¥0.4953
500: ¥0.4498
2,500: ¥0.4173
5,000: ¥0.3887
10,000: ¥0.364
18,171 对比
DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,905 对比
BSS670S2L H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS670S2LH6327XTSA1_2.9mm SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
100: ¥0.792
500: ¥0.7194
1,970 对比
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS670S2L H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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