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DMN6013LFG-7  与  TPH11006NL,LQ  区别

型号 DMN6013LFG-7 TPH11006NL,LQ
唯样编号 A3-DMN6013LFG-7 A-TPH11006NL,LQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.6W(Ta),34W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11.4 毫欧 @ 8.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000 pF @ 30 V
Vgs(th) - 2.5V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 23 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI 8-SOP Advance(5x5)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A 17A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2577pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55.4nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

暂无价格 0 当前型号
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