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DMN3007LSS-13  与  IRF8736TRPBF  区别

型号 DMN3007LSS-13 IRF8736TRPBF
唯样编号 A3-DMN3007LSS-13 A36-IRF8736TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 64.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 N-Channel 30 V 4.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@15A,10V 4.8mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 18A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2714pF @ 15V 2315pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 64.2nC @ 10V 26nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2315pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 34,829
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.782
100+ :  ¥1.43
1,000+ :  ¥1.265
2,000+ :  ¥1.199
4,000+ :  ¥1.144
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3007LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

暂无价格 0 当前型号
IRF8736TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
100: ¥1.43
1,000: ¥1.265
2,000: ¥1.199
4,000: ¥1.144
34,829 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,908 对比
IRF7832TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.377 

阶梯数 价格
20: ¥3.377
100: ¥2.695
1,000: ¥2.409
2,000: ¥2.277
4,000: ¥2.167
4,000 对比
IRF7832TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥5.8453 

阶梯数 价格
30: ¥5.8453
50: ¥5.7495
100: ¥5.5578
500: ¥5.462
1,000: ¥5.3662
2,000: ¥5.3662
4,000: ¥5.3662
4,000 对比
IRF7456TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥11.039 

阶梯数 价格
20: ¥11.039
50: ¥6.2957
100: ¥5.7016
500: ¥5.3087
1,000: ¥5.232
2,000: ¥5.165
2,395 对比

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