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DMN2075U-7  与  IRLML2502TRPBF  区别

型号 DMN2075U-7 IRLML2502TRPBF
唯样编号 A3-DMN2075U-7 A36-IRLML2502TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ 45mΩ@4.2A,4.5V
上升时间 9.8ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 800mW 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs 8V ±12V
典型关闭延迟时间 28.1ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.2A(Ta)
系列 DMN2075 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 594.3pF @ 10V 740pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 4.5V 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 6.7ns -
典型接通延迟时间 7.4ns -
库存与单价
库存 52,000 17,553
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
1,500+ :  ¥0.4862
3,000+ :  ¥0.455
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 当前型号
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7425 

阶梯数 价格
70: ¥0.7425
200: ¥0.6032
1,500: ¥0.5499
3,000: ¥0.5148
24,499 对比
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
17,553 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.3765
500: ¥1.974
1,000: ¥1.8974
2,000: ¥1.7728
4,000: ¥1.7536
4,011 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥1.3359 

阶梯数 价格
1: ¥1.3359
25: ¥1.1515
100: ¥1.0302
500: ¥0.8881
1,000: ¥0.7656
1,960 对比

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