首页 > 商品目录 > > > > DMN10H220LE-13代替型号比较

DMN10H220LE-13  与  BSP373NH6327XTSA1  区别

型号 DMN10H220LE-13 BSP373NH6327XTSA1
唯样编号 A3-DMN10H220LE-13 A32-BSP373NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 265pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-223 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 218uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 401pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 240 毫欧 @ 1.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 5,000 396
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥1.6545
25+ :  ¥1.4263
100+ :  ¥1.2295
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 5,000 当前型号
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6853 

阶梯数 价格
80: ¥0.6853
200: ¥0.5577
1,500: ¥0.5083
3,000: ¥0.4745
15,728 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.002 

阶梯数 价格
30: ¥2.002
100: ¥1.54
1,250: ¥1.342
2,500: ¥1.265
5,653 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP373N H6327_TO-261-4,TO-261AA

¥1.6545 

阶梯数 价格
1: ¥1.6545
25: ¥1.4263
100: ¥1.2295
396 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSP373N H6327_TO-261-4,TO-261AA

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
50: ¥2.607
176 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售