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DMN10H220LE-13  与  IRLML0100TRPBF  区别

型号 DMN10H220LE-13 IRLML0100TRPBF
唯样编号 A3-DMN10H220LE-13 A-IRLML0100TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 100 V 1.3 W 2.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) 1.3W
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.3A 1.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 401pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A

暂无价格 0 当前型号
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223

暂无价格 0 对比
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A

暂无价格 0 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP373N H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IRFL4310PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223

暂无价格 0 对比
BSP373N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP373NH6327XTSA1_100V 1.8A 177mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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