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DMG2305UXQ-7  与  DMG2305UX-13  区别

型号 DMG2305UXQ-7 DMG2305UX-13
唯样编号 A3-DMG2305UXQ-7 A-DMG2305UX-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 65 Ohms Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ 52mΩ@4.2A、4.5V
上升时间 13.7ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.4W(Ta)
Qg-栅极电荷 10.2nC -
栅极电压Vgs 500mV ±8V
典型关闭延迟时间 79.3ns -
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.2A
系列 DMG230 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 808pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 34.7ns -
典型接通延迟时间 10.8ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 808pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.2nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.3033
15,000+ :  ¥0.2808
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.3033 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3033
15,000: ¥0.2808
0 当前型号
DMG2305UX-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4589 

阶梯数 价格
110: ¥0.4589
200: ¥0.2951
3,000: ¥0.2625
78,170 对比
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.4823 

阶梯数 价格
110: ¥0.4823
500: ¥0.3211
5,000: ¥0.2795
16,226 对比
IRLML6402GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMG2305UX-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMG2305UXQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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